规格书 |
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产品培训模块 |
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标准包装 |
2,500 |
FET 型
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MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
650V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
800mA |
Rds(最大)@ ID,VGS |
6 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
3.9V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
100pF @ 25V |
功率 - 最大 |
11W |
安装类型
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Surface Mount |
包/盒
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
PG-TO252-3 |
包装材料
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Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
包装 |
3TO-252 |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
600 V |
最大连续漏极电流 |
0.8 A |
RDS -于 |
6000@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
30 ns |
典型上升时间 |
25 ns |
典型关闭延迟时间 |
55 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
FET特点 |
Standard |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
800mA (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
3.9V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
650V |
供应商设备封装 |
PG-TO252-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
6 Ohm @ 500mA, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
11W |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
100pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
5nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
SPD01N60C3INCT |
工厂包装数量 |
1 |
晶体管极性 |
N-Channel |
连续漏极电流 |
0.8 A |
零件号别名 |
SP000307382 SPD01N60C3BTMA1 |
下降时间 |
30 ns |
安装风格 |
SMD/SMT |
产品种类 |
MOSFET |
商品名 |
CoolMOS |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
RoHS |
RoHS Compliant |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
系列 |
SPD01N60 |
RDS(ON) |
6 Ohms |
功率耗散 |
11 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
上升时间 |
25 ns |
漏源击穿电压 |
600 V |